HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) 青島華能生產(chǎn)全自動(dòng)配電箱溫升試驗(yàn)裝置 原理用途 

用于箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。MOX傳感器MCM設(shè)備的組成。測(cè)試系統(tǒng)需求為了測(cè)試這些設(shè)備，測(cè)試系統(tǒng)需要具備以下功能和屬性：測(cè)試/校準(zhǔn)MOX傳感器的時(shí)間可能需要幾十分鐘。由于需要在真空和目標(biāo)氣體“浸泡”傳感器，所以需要很長(zhǎng)的“soak”時(shí)間。顯然，使用大型、高性能的半導(dǎo)體測(cè)試儀，在soak期間需要閑置一段時(shí)間，這樣不能有效的利用這些昂貴的資源。所以，解決方案必須具有較低的初始資本成本。測(cè)試吞吐量很重要。由于駐留時(shí)間長(zhǎng)，因此系統(tǒng)必須支持非常大的并行測(cè)試能力，這樣才能將soak時(shí)間內(nèi)分?jǐn)偟蕉鄠€(gè)設(shè)備上DUT負(fù)載板必須位于一個(gè)可以對(duì)氣體濃度進(jìn)行控制的封閉環(huán)境中。

1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流：AC范圍 0到額定電流，連續(xù)可調(diào)， 且該輸出電流為真有效值（指負(fù)載被試開關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件， 可輸出的電流有效值， 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求）

輸出波形：標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率： 50Hz （+5%， -2%）

輸出電壓：0-6V，且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間：大電流輸出不少于24小時(shí)

輸出相數(shù)：三相  多路

MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號(hào)。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS。

具備供電電源三相輸入電壓、輸入電流顯示功能

具備試驗(yàn)過(guò)程記錄功能（持續(xù)記錄輸出電壓、輸出電流相關(guān)數(shù)據(jù)）

具備試驗(yàn)結(jié)果自動(dòng)計(jì)算功能

具備傳輸后編輯報(bào)告生成功能

具備全自動(dòng)測(cè)試與手動(dòng)測(cè)試兩種方法，全自動(dòng)測(cè)試時(shí)只需簡(jiǎn)單設(shè)置試驗(yàn)電流、時(shí)間、記錄步長(zhǎng)即可，帶自動(dòng)穩(wěn)流系統(tǒng)。系統(tǒng)跟蹤目標(biāo)電流，自動(dòng)調(diào)整、平衡三相輸出電壓、電流，并可自動(dòng)記錄電流、電壓數(shù)據(jù)，。

1.3 恒流源配置列表：（按照客戶具體需求配置）

青島華能生產(chǎn)全自動(dòng)配電箱溫升試驗(yàn)裝置 原理用途從計(jì)算機(jī)鼠標(biāo)到高速網(wǎng)絡(luò)路由器等設(shè)備均能夠重新編寫設(shè)備的固件和硬件，從而進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)。上文提及的四家公司（Atmel、賽普拉斯、Microchip和NXP）均可提供“膠連”邏輯，幫助減輕主處理器的負(fù)荷，或是無(wú)需使用外部邏輯。就提供的邏輯模塊類型和這些邏輯模塊彼此互聯(lián)的方式以及與定時(shí)器、UART和IO引腳等板載模塊互聯(lián)的方式而言，每家公司都采取了不同的方法。因此有必要了解這些廠家各自是如何實(shí)現(xiàn)內(nèi)部可編程邏輯的，以便為選擇自己項(xiàng)目的解決方案做出決策。