HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
使用方法 沖擊電壓發(fā)生裝置 超低頻高壓發(fā)生器 匝間沖擊耐壓試驗(yàn)儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

發(fā)射防護(hù)——提高電子設(shè)備本身電磁兼容能力提高電子設(shè)備本身的電磁兼容性能是從根本上提高系統(tǒng)電磁兼容性能的有效措施，而印制電路板(PCB板)是電子設(shè)備的核心組成部分，并且其抗電磁干擾性能與電磁輻射性能往往是相互聯(lián)系的，因此可以采取以下措施來(lái)提高印制電路板的電磁兼容性能。選擇電磁兼容性能好的元器件選擇EMC性能好的元器件，并盡量選擇表面貼裝的封裝形式。器件合理布局，把相互有關(guān)的器件盡量放得靠近些，使各部件之間的引線盡量短。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

本次測(cè)試中，中興通訊實(shí)現(xiàn)將8路25G信號(hào)匯聚到一路200G波長(zhǎng)中傳送，滿帶寬下所有業(yè)務(wù)的前傳端到端時(shí)延為5us，低于傳統(tǒng)設(shè)備一個(gè)數(shù)量級(jí)，完全滿足5G承載要求；后續(xù)還將引入靈活和輕量的FlexO+技術(shù)等技術(shù)，端到端時(shí)延有望降到1us。OTN具有大帶寬、低時(shí)延、多業(yè)務(wù)透明傳送、高精度同步、**可靠、易維護(hù)等特點(diǎn)，很好的匹配了5G的需求，是未來(lái)5G承載的主流技術(shù)。在對(duì)時(shí)延極其敏感的5G前傳網(wǎng)絡(luò)中，采用OTN承載，可實(shí)現(xiàn)CPReCPRNGFEthernet等多路業(yè)務(wù)信號(hào)的點(diǎn)到點(diǎn)波長(zhǎng)直達(dá)傳輸，中間節(jié)點(diǎn)光層穿通，所有業(yè)務(wù)的時(shí)延都是。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

當(dāng)兩個(gè)重載輸出時(shí)，電流在整個(gè)1-D周期持續(xù)流動(dòng)，輸出電壓平衡良好。然而，當(dāng)一個(gè)重載輸出和另一個(gè)輕載輸出時(shí)，輕載輸出上的輸出電容傾向于從該基座電壓發(fā)生峰值充電；因?yàn)殡娏餮杆倩厣搅?，其輸出二極管將停止導(dǎo)通，。請(qǐng)參見中的波形。這些寄生電感的峰值充電交叉調(diào)節(jié)影響通常比整流器正向壓降單引起的要差得多。當(dāng)對(duì)兩個(gè)輸出施加重載時(shí)，在整個(gè)1-D周期內(nèi)，次級(jí)繞組電流在兩個(gè)次級(jí)繞組中流動(dòng)。您可以看到上方紅色跡線上的基座電壓。