HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
廠家供應(yīng) 衝擊電壓試驗(yàn)裝置 發(fā)電機(jī)交流耐壓試驗(yàn)裝置 便攜式交流耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)係人車(chē)高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

在帶寬500MHz以下的示波器，一般標(biāo)配是1倍衰減或10倍衰減的無(wú)源，某些的衰減比可手動(dòng)選擇。不同衰減比的在帶寬、輸入電阻、輸入電容上麵都有差異：圖2ZP1025SA1倍、10倍衰減時(shí)的參數(shù)差異可見(jiàn)的輸入電容，比晶體手冊(cè)的負(fù)載電容要大。的介入，必定大大影響到原已參數(shù)優(yōu)化好的電路，從而嚴(yán)重影響晶體電路的起振。兩害相權(quán)取其輕，測(cè)量無(wú)源晶振時(shí)應(yīng)優(yōu)先選用10倍衰減。若10倍衰減的寄生參數(shù)還是過(guò)大，可以考慮選用有源高壓差分，其負(fù)載參數(shù)優(yōu)化得非常小，如Lecroy的ZP1000，輸入阻抗可達(dá)0.9p1M歐姆。

衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

LabVIEW提供了一門(mén)編程語(yǔ)言所擁有的語(yǔ)能，隻是它以圖形的方式提供。LabVIEW基本由一個(gè)個(gè)VI文件組成。每個(gè)VI由前麵板和程序框圖組成。可以從兩個(gè)角度來(lái)理解VI文件：從用戶交互來(lái)說(shuō)，前麵板負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)用戶交互界麵，類似UI設(shè)計(jì)工具，一般包括用戶操作控件和輸出結(jié)果控件，像文本框、按鈕、波形顯示控件等；而程序框圖負(fù)責(zé)將用戶的操作經(jīng)過(guò)一係列的處理，並終輸出結(jié)果，顯示在前麵板上。從功能模塊來(lái)說(shuō)，每個(gè)VI文件類似於C語(yǔ)言中的一個(gè)函數(shù)，前麵板用來(lái)設(shè)計(jì)函數(shù)的參數(shù)(輸入)和返回值(輸出)，程序框圖類似函數(shù)體，實(shí)現(xiàn)具體邏輯。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓製造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝後測(cè)試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控製測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey後，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。