HN2016智能sf6微水測試儀冷鏡法露點儀 SF6分解物測試儀 sf6冷鏡法露點測試儀 高質(zhì)量

露點	測量范圍	－80 ℃～+20 ℃
	測量精度	±1℃（－80℃～＋20℃）
	測量時間 （＋20℃）	<3分鐘。
環(huán)境溫度	－40℃～＋60℃

其無線發(fā)射頻段工作在ISM頻段,常用的有315MHz和433.92MHz。發(fā)射信號的調(diào)制采用頻移鍵控（2FSK）或幅移鍵控（ASK）。對于胎壓監(jiān)測系統(tǒng)（TPMS）通常會進行傳感器及無線通信信號質(zhì)量測試。無線通信信號測試分為監(jiān)測模塊的發(fā)射測試，包含發(fā)射功率，發(fā)射頻率及頻偏（對于2FSK）測試；及中控臺的接收端的接收靈敏度測試。對于發(fā)射測試，可以通過DSA700/800系列頻譜儀直接進行發(fā)射功率及發(fā)射頻率測試。1、連接SF₆設(shè)備

將測量管道上螺紋端與開關(guān)接頭連接好，用扳手擰緊，關(guān)閉測量管道上另一端的針型閥；

再把測試管道上的快速接頭一端插入儀器上的采樣口；

將排氣管道連接到出氣口。

后將開關(guān)接頭與SF₆電氣設(shè)備測量接口連接好，用扳手擰緊；

2、檢查電量

本儀器優(yōu)先使用交流電。

使用直流電時，請查看右上角顯示的電池電量，如果電量低于約20％，請關(guān)機充電后繼續(xù)使用。

3、開始測量

打開儀測量管道上的針型閥，然后用面板上的流量閥調(diào)節(jié)流量，把流量調(diào)節(jié)到0.5L/M左右，開始測量SF₆露點。

設(shè)備測量時間需要5～10分鐘，其后每臺設(shè)備需要3～5分鐘。

4、存儲數(shù)據(jù)

設(shè)備測量完成后，可以將數(shù)據(jù)保存在儀器中，按“確定”鍵調(diào)出操作菜單，具體操作方式見下節(jié)內(nèi)容。將100nH的漏電感引入變壓器的兩根二次引線，并且將3μH的漏電與初級繞組串聯(lián)時，將會發(fā)生什么。這些電感可在電流路徑中建立寄生電感，其中包括變壓器內(nèi)部的漏電感以及PCB和其他元件中的電感。當初始場效應晶體管（FET）關(guān)斷時，初始漏電感仍然有電流流動，而次級漏電感開啟初始條件為0A的1-D周期。變壓器磁芯上出現(xiàn)基座電壓，所有繞組共用。該基座電壓使初級漏電中的電流斜降至0A，并使次級漏電電流斜升以將電流傳輸?shù)截撦d。

5、測量其他設(shè)備

一臺設(shè)備測量后，關(guān)閉測量管道上的針型閥和微水儀上的調(diào)節(jié)閥。將轉(zhuǎn)接頭從SF₆電氣設(shè)備上取下。如果需要繼續(xù)測量其他設(shè)備，按照上面步驟繼續(xù)測量下一臺設(shè)備。

6、測量結(jié)束

所有設(shè)備測量結(jié)束后，關(guān)閉儀器電源。

一、 菜單操作

在測量狀態(tài)，通過確定鍵可以進入功能菜單，如圖1。

1、保存數(shù)據(jù)

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“保存記錄”菜單，按“確定”鍵，進入保存數(shù)據(jù)頁面，保存數(shù)據(jù)時，可以根據(jù)設(shè)備進行編號。

設(shè)備編號多為六位，可以通過“上”、“下”鍵增加數(shù)值大小，“左”、“右”鍵調(diào)整數(shù)據(jù)位數(shù)。

輸入編號后，按“確定”鍵，完成保存數(shù)據(jù)。按“返回”鍵可以返回上一頁，此時不保存數(shù)據(jù)。

2、查看記錄

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“查看記錄”菜單，按“確定”鍵，進入查看記錄頁面。

顯示時從后一個被保存的數(shù)據(jù)開始。

可以按“上”、“下”鍵翻看數(shù)據(jù)。揮動手臂產(chǎn)生的微多普勒效應利用雷達識別運動的技術(shù)可以應用在不同的場景中。比如在體育運動中，可以借用這項技術(shù)檢測人和球類的運動狀態(tài)和運動軌跡。在居家環(huán)境下，還可以做摔倒檢測，用于預防老人摔倒。目前，我們的技術(shù)已經(jīng)可以通過處理雷達數(shù)據(jù)，實現(xiàn)運動狀態(tài)和軌跡的解讀。手勢識別交互人機交互是雷達技術(shù)的另一個重要應用領(lǐng)域，如手勢識別交互。利用雷達采集的距離、多普勒信息，以及快速采樣獲得的手動態(tài)運動歷史信息，雷達可以很好地展現(xiàn)手的動態(tài)運動特性，并可以從不同的角度觀測手的運動。

3、刪除記錄

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“刪除記錄”菜單，按“確定”鍵，可刪除所有數(shù)據(jù)。

4、修改時間

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇修改時間，按“確定”鍵，進入修改時間頁面。

通過“上”、“下”鍵可以增加時間數(shù)值，“左”、“右”鍵可以減小時間數(shù)值。

輸入小時、分鐘、秒后，按“確定”鍵可以轉(zhuǎn)到下一個修改域內(nèi)。

 另外，晶體管也可能產(chǎn)生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產(chǎn)生機理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近，也與晶體管的摻雜程度有關(guān)。半導體器件產(chǎn)生的散粒噪聲由于半導體PN結(jié)兩端勢壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變，從而顯現(xiàn)出電容效應。當外加正向電壓升高時，N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運動，相當于對電容充電。當正向電壓減小時，它又使電子和空穴遠離耗盡區(qū)，相當于電容放電。當外加反向電壓時，耗盡區(qū)的變化相反。當電流流經(jīng)勢壘區(qū)時，這種變化會引起流過勢壘區(qū)的電生微小波動，從而產(chǎn)生電流噪聲。