HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
長期供應(yīng) 沖擊電流發(fā)生器 串聯(lián)諧振耐壓試驗(yàn)裝置 變頻調(diào)感發(fā)電機(jī)交流耐壓試驗(yàn)裝置產(chǎn)品簡介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

有的數(shù)據(jù)采集器的通道數(shù)可擴(kuò)展至數(shù)百甚至數(shù)千個(gè)，但受到被測目標(biāo)尺寸的限制，這些通道數(shù)往往是理論上的，極少用在實(shí)際檢測中。紅外熱像在汽車電子檢測方面的應(yīng)用案例電路板及元器件檢測A電路板測試當(dāng)前，電子設(shè)備主要失效形式就是熱失效。而汽車作為熱能轉(zhuǎn)為動(dòng)能的系統(tǒng)對電子設(shè)備的要求則更高。據(jù)統(tǒng)計(jì)，電子設(shè)備失效有55%是溫度超過規(guī)定值引起，隨著溫度增加，電子設(shè)備失效率呈指數(shù)增長。一般而言電子元器件的工作可靠性對溫度極為敏感，器件溫度在7-8℃水平上每增加1℃，可靠性就會(huì)下降5%。

沖擊測試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

注意：表1中規(guī)定的R?JA僅供比較參考，鑒于板空間和銅排有限，在實(shí)際傳感器應(yīng)用中，該值會(huì)更高。聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)(JEDEC)或評估模塊(EVM)計(jì)算了數(shù)據(jù)表中的典型R?JA值。，LMZM236145°C/W的R?JA是基于一塊3mm*3mm的雙層電路板計(jì)算出來的。表1：LMZM2361與按照封裝類型分類的線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)選項(xiàng)如表2所示，線性穩(wěn)壓器功耗為(24V-3.3V)x35mA約等于.93W功率，而LMZM2361功耗僅為.116W。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號可以立延時(shí)

輸入電阻值應(yīng)限制在10Ω以下。至少，選擇電容器以地匹配分流電阻器及其電感的時(shí)間常數(shù)；或者，選擇電容器以提供低于該點(diǎn)的極點(diǎn)。使輸入濾波器時(shí)間常數(shù)等于或大于并聯(lián)電阻及其電感時(shí)間常數(shù)：這簡化為基于使用10Ω電阻來確定每個(gè)RFILT的CFILT值：如果主要目的是濾除高頻噪聲，則應(yīng)將電容器增加至提供所需濾波的值。，100kHz的濾波頻率需要一個(gè)80nF電容。該電容器可以有一個(gè)低額定電壓值，但應(yīng)具有良好的高頻特性。