HN2016智能sf6微水測試儀冷鏡式露點(diǎn)儀 SF6綜合測試儀 氣體定量檢漏儀 30年經(jīng)驗(yàn)

露點(diǎn)	測量範(fàn)圍	－80 ℃～+20 ℃
	測量精度	±1℃（－80℃～＋20℃）
	測量時(shí)間 （＋20℃）	<3分鐘。
環(huán)境溫度	－40℃～＋60℃

在ISO882-5_27及ISO882-1_25的道路車輛熔斷器國標(biāo)中，對熔斷器的參數(shù)定義及測試指標(biāo)做了詳細(xì)的說明。完整的絲相關(guān)測試包含導(dǎo)通壓降測試，熔斷時(shí)間，級進(jìn)電流及分段能力測試。本文主要以SF3和SF51為待測對象，重點(diǎn)介紹熔斷時(shí)間測試。熔斷時(shí)間實(shí)驗(yàn)要求下圖摘自ISO882-1_27國標(biāo)中針對SF3和SF51的熔斷測試要求，熔斷時(shí)間需在過載電流從1.1IR~6.IR範(fàn)圍內(nèi)測試，當(dāng)過載電流越大，熔斷時(shí)間越快。1、連接SF₆設(shè)備

將測量管道上螺紋端與開關(guān)接頭連接好，用扳手?jǐn)Q緊，關(guān)閉測量管道上另一端的針型閥；

再把測試管道上的快速接頭一端插入儀器上的采樣口；

將排氣管道連接到出氣口。

後將開關(guān)接頭與SF₆電氣設(shè)備測量接口連接好，用扳手?jǐn)Q緊；

2、檢查電量

本儀器優(yōu)先使用交流電。

使用直流電時(shí)，請查看右上角顯示的電池電量，如果電量低於約20％，請關(guān)機(jī)充電後繼續(xù)使用。

3、開始測量

打開儀測量管道上的針型閥，然後用麵板上的流量閥調(diào)節(jié)流量，把流量調(diào)節(jié)到0.5L/M左右，開始測量SF₆露點(diǎn)。

設(shè)備測量時(shí)間需要5～10分鐘，其後每臺(tái)設(shè)備需要3～5分鐘。

4、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

設(shè)備測量完成後，可以將數(shù)據(jù)保存在儀器中，按“確定”鍵調(diào)出操作菜單，具體操作方式見下節(jié)內(nèi)容。WLP(WaferLevelPackaging)：晶圓級封裝，是一種以BGA為基礎(chǔ)經(jīng)過改進(jìn)和提高的CSP，直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是的封裝測試程序，之後再進(jìn)行切割製成單顆組件的方式。上述封裝方式中，係統(tǒng)級封裝和晶圓級封裝是當(dāng)前受到熱捧的兩種方式。係統(tǒng)級封裝因涉及到材料、工藝、電路、器件、半導(dǎo)體、封裝及測試等技術(shù)，在技術(shù)發(fā)展的過程中對以上領(lǐng)域都將起到帶動(dòng)作用促進(jìn)電子製造產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。晶圓級封裝可分為扇入型和扇出型，IC製造領(lǐng)域巨頭臺(tái)積電能夠拿下蘋果A10訂單，其開發(fā)的集成扇出型封裝技術(shù)功不可冇。

5、測量其他設(shè)備

一臺(tái)設(shè)備測量後，關(guān)閉測量管道上的針型閥和微水儀上的調(diào)節(jié)閥。將轉(zhuǎn)接頭從SF₆電氣設(shè)備上取下。如果需要繼續(xù)測量其他設(shè)備，按照上麵步驟繼續(xù)測量下一臺(tái)設(shè)備。

6、測量結(jié)束

所有設(shè)備測量結(jié)束後，關(guān)閉儀器電源。

一、 菜單操作

在測量狀態(tài)，通過確定鍵可以進(jìn)入功能菜單，如圖1。

1、保存數(shù)據(jù)

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“保存記錄”菜單，按“確定”鍵，進(jìn)入保存數(shù)據(jù)頁麵，保存數(shù)據(jù)時(shí)，可以根據(jù)設(shè)備進(jìn)行編號。

設(shè)備編號多為六位，可以通過“上”、“下”鍵增加數(shù)值大小，“左”、“右”鍵調(diào)整數(shù)據(jù)位數(shù)。

輸入編號後，按“確定”鍵，完成保存數(shù)據(jù)。按“返回”鍵可以返回上一頁，此時(shí)不保存數(shù)據(jù)。

2、查看記錄

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“查看記錄”菜單，按“確定”鍵，進(jìn)入查看記錄頁麵。

顯示時(shí)從後一個(gè)被保存的數(shù)據(jù)開始。

可以按“上”、“下”鍵翻看數(shù)據(jù)。同時(shí)，SPI也冇有多主器件協(xié)議，必須采用很複雜的軟件和外部邏輯來實(shí)現(xiàn)多主器件架構(gòu)。每個(gè)從器件需要一個(gè)單的從選擇信號?？傂盘枖?shù)終為n+3個(gè)，其中n是總線上從器件的數(shù)量。導(dǎo)線的數(shù)量將隨增加的從器件的數(shù)量按比例增長。同樣，在SPI總線上添加新的從器件也不方便。對於額外添加的每個(gè)從器件，都需要一條新的從器件選擇線或邏輯。圖2顯示了典型的SPI讀/寫周期。在地址或命令字節(jié)後麵跟有一個(gè)讀/寫位。數(shù)據(jù)通過MOSI信號寫入從器件，通過MISO信號自從器件中讀出。

3、刪除記錄

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“刪除記錄”菜單，按“確定”鍵，可刪除所有數(shù)據(jù)。

4、修改時(shí)間

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇修改時(shí)間，按“確定”鍵，進(jìn)入修改時(shí)間頁麵。

通過“上”、“下”鍵可以增加時(shí)間數(shù)值，“左”、“右”鍵可以減小時(shí)間數(shù)值。

輸入小時(shí)、分鐘、秒後，按“確定”鍵可以轉(zhuǎn)到下一個(gè)修改域內(nèi)。

 也就是說，壓痕接觸麵積愈大，超聲硬度計(jì)的示值愈低。而非壓痕接觸大大地增加了壓頭與被測表麵的接觸麵積，致使硬度計(jì)示值偏低於真實(shí)值。試驗(yàn)證明，洛氏硬度測量偏差在10HRC左右；布氏硬度測量偏差在20HB左右。解決辦法：在測量試樣硬度時(shí)，我們必須注意被測表麵粗糙度是否符合硬度計(jì)的檢測條件。在正常使用硬度計(jì)的條件下，必須保證試樣的被測表麵粗糙度值小於或等於Ra=0.8μm，若試樣的被測表麵粗糙度值大於Ra=0.8μm，可以通過機(jī)械方法（上磨床）或手工方法，對被測表麵進(jìn)行研磨修整，法國凱茂KIMO使試樣的被測表麵粗糙度達(dá)到檢側(cè)條件。